Номер детали производителя : | S4J V7G |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Состояние на складе : | 1076 pcs Stock |
Описание : | DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | S4J V7G(1).pdfS4J V7G(2).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | S4J V7G |
---|---|
производитель | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Описание | DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 1076 pcs |
Спецификация | S4J V7G(1).pdfS4J V7G(2).pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.15 V @ 4 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 600 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | DO-214AB (SMC) |
скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 1.5 µs |
Упаковка / | DO-214AB, SMC |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 10 µA @ 600 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 4A |
Емкостной @ В.Р., F | 60pF @ 4V, 1MHz |
Базовый номер продукта | S4J |
4A, 600V, STANDARD RECOVERY RECT
DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB
DIODE GEN PURP 1.8KV 255A
DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB